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Toshiba lance des MOSFET SiC de troisième génération pour les équipements industriels avec un boîtier à quatre broches qui réduit la perte de commutation

·4 min de lecture
Toshiba lance des MOSFET SiC de troisième génération pour les équipements industriels avec un boîtier à quatre broches qui réduit la perte de commutation

KAWASAKI, Japon - Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) a lancé des MOSFET en carbure de silicium (SiC), la "série TWxxxZxxxC", qui utilisent un boîtier TO-247-4L(X) à quatre broches qui réduit les pertes de commutation avec la dernière technologie de l'entreprise.MOSFET SiC de troisième génération pour les équipements industriels. Les livraisons en volume de dix produits, cinq avec une tension nominale de 650V et cinq avec une tension nominale de 1200V, commencent aujourd'hui.

Les nouveaux produits sont les premiers de la gamme de MOSFET SiC de Toshiba à utiliser le boîtier TO-247-4L(X) à quatre broches.qui permet la connexion Kelvin de la borne source du signal pour l'entraînement de la grille. Ce boîtier permet de réduire l'effet de l'inductance du fil de source à l'intérieur du boîtier, ce qui améliore les performances de commutation à grande vitesse. Pour le nouveau TW045Z120C, la perte à l'enclenchement est réduite d'environ 40 % et la perte à la coupure d'environ 34 %par rapport au produit actuel TW045N120C de Toshiba dans un boîtier TO-247 à trois broches. Cela permet de réduire la perte de puissance de l'équipement.

Une conception de référence pour un onduleur triphasé utilisant des MOSFET SiC est publié en ligne.

Toshiba continuera d'élargir sa gamme pour répondre aux tendances du marché et contribuer à l'amélioration de l'efficacité des équipements et à l'augmentation de la capacité de production d'énergie.

Notes :
À partir d'août 2023.
A partir d'août 2023, valeurs mesurées par Toshiba (condition de test : VDD=800V, VGG=+18V/0V, ID=20A, RG=4.7Ω, L=100μH, Ta=25°C)

Applications

  • Alimentations à découpage (serveurs, centres de données, équipements de communication, etc.)
  • Bornes de recharge pour véhicules électriques
  • Onduleurs photovoltaïques
  • Alimentations sans interruption (ASI)

Caractéristiques

  • Boîtier TO-247-4L(X) à quatre broches :
    La perte de commutation est réduite par la connexion Kelvin de la borne de la source du signal pour l'entraînement de la grille.
  • MOSFETs SiC de 3ème génération
  • Faible On-résistance drain-source x charge grille-drain
  • Faible tension directe de la diode : VDSF=-1,35V (typ.) (VGS=-5V)

Spécifications principales

Suivez les liens ci-dessous pour en savoir plus sur le nouveau produit.
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C

Suivez le lien ci-dessous pour en savoir plus sur les MOSFET de Toshiba.
MOSFETs

Suivez les liens ci-dessous pour en savoir plus sur la solution proposée par Toshiba.

Applications
Serveurs
Alimentation sans interruption
Eclairage LED

Pour vérifier la disponibilité des nouveaux produits auprès des distributeurs en ligne, visitez le site :
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À propos de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, l'un des principaux fournisseurs de semi-conducteurs et de solutions de stockage de pointe, s'appuie sur plus d'un demi-siècle d'expérience et d'innovation pour offrir à ses clients et à ses partenaires commerciaux des semi-conducteurs discrets, des systèmes LSI et des disques durs exceptionnels.
Les 21 500 employés de l'entreprise dans le monde entier partagent la même détermination à maximiser la valeur des produits et à promouvoir une collaboration étroite avec les clients dans la co-création de valeur et de nouveaux marchés. Avec un chiffre d'affaires annuel approchant les 800 milliards de yens (6,1 milliards de dollars américains), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation est impatient de construire et de contribuer à un avenir meilleur pour tous les peuples du monde.
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